Samsung commence la production en série de la première DRAM LPDDR5 16 Go du secteur pour les smartphones haut de gamme de nouvelle génération – Samsung Global Newsroom


Basé sur la technologie de processus de deuxième génération de 10 nm de Samsung, le package DRAM mobile LPDDR5 de 16 Go offre les performances et la capacité les plus élevées du secteur.

Samsung Electronics, un leader mondial des technologies de mémoire avancées, a annoncé aujourd’hui qu’il avait commencé à produire en masse le premier package DRAM mobile LPDDR5 de 16 gigaoctets (Go) du secteur pour les smartphones haut de gamme de nouvelle génération. Après la production en série du premier LPDDR5 12 Go de l’industrie en juillet 2019, la nouvelle avancée de 16 Go dirigera le marché de la mémoire mobile haut de gamme avec une capacité supplémentaire qui permet des fonctionnalités 5G et AI améliorées, notamment des jeux riches en graphiques et de la photographie intelligente.

«Samsung s’est engagé à mettre les technologies de mémoire à la pointe de la technologie en permettant aux consommateurs de vivre des expériences incroyables via leurs appareils mobiles. Nous sommes ravis de rester fidèles à cet engagement avec notre nouvelle solution mobile haut de gamme pour les fabricants mondiaux d’appareils », a déclaré Cheol Choi, vice-président directeur des ventes et du marketing de la mémoire, Samsung Electronics. « Avec l’introduction d’une nouvelle gamme de produits basée sur notre technologie de processus de nouvelle génération plus tard cette année, Samsung sera en mesure de répondre pleinement aux futures demandes de mémoire des clients mondiaux. »

Le taux de transfert de données pour le LPDDR5 de 16 Go est de 5 500 mégabits par seconde (Mb / s), environ 1,3 fois plus rapide que la mémoire mobile précédente (LPDDR4X, 4266Mb / s). Par rapport à un boîtier LPDDR4X de 8 Go, la nouvelle DRAM mobile offre plus de 20% d’économies d’énergie tout en offrant jusqu’à deux fois la capacité.

Le package DRAM mobile LPDDR5 de 16 Go de Samsung se compose de huit puces de 12 gigabits (Go) et de quatre puces de 8 Go, équipant les smartphones haut de gamme d’une capacité DRAM deux fois supérieure à celle de nombreux ordinateurs portables et PC de jeu haut de gamme aujourd’hui. En plus des performances ultra-rapides, la plus grande capacité de l’industrie prend en charge un jeu dynamique et réactif ainsi que des graphiques ultra-haute résolution sur des smartphones haut de gamme pour des expériences de jeu mobile hautement immersives.

Alors que Samsung continue d’étendre la production de DRAM mobile LPDDR5 sur son site de Pyeongtaek, la société prévoit de produire en masse des produits LPDDR5 16 Gb basés sur la technologie de processus de troisième génération de classe 10 nm (1z) au cours du deuxième semestre de cette année, conformément au développement. d’un chipset 6 400 Mb / s. Une telle innovation implacable devrait bien positionner Samsung pour consolider davantage son avantage concurrentiel sur des marchés tels que les appareils mobiles haut de gamme, les PC haut de gamme et les applications automobiles.

[Reference] Samsung Mobile DRAM Timeline: Production / Production de masse

Date Capacité DRAM mobile
Déc.2019 16 GB Classe 10 nm 12 Go + 8 Go LPDDR5, 5500 Mo / s
Sept. 2019

12 Go
(uMCP)

LPDDR4X 24 Go de classe 10 nm, 4266 Mo / s
Juillet 2019 12 Go LPDDR5 12 Go de classe 10 nm, 5500 Mo / s
Juin 2019 6 Go LPDDR5 12 Go de classe 10 nm, 5500 Mo / s
Fév.2019 12 Go Classe 10 nm, LPDDR4X 16 Go, 4266 Mo / s
Juillet 2018 8 Go Classe 10 nm, LPDDR4X 16 Go, 4266 Mo / s
Avril 2018 8 Go
(développement)
LPDDR5 8 Go de classe 10 nm, 6400 Mo / s
Sept. 2016 8 Go Classe 10 nm, LPDDR4X 16 Go, 4266 Mo / s
Août 2015 6 Go 20 nm 12 Go LPDDR4, 4266 Mo / s
Déc. 2014 4 Go 20 nm 8 Go LPDDR4, 3200 Mo / s
Sept. 2014 3 Go 20 nm 6 Go LPDDR3, 2133 Mo / s
Novembre 2013 3 Go LPDDR3 6 Go de classe 20 nm, 2133 Mo / s
juillet 2013 3 Go LPDDR3 4Gb de classe 20 nm, 2133 Mo / s
avril 2013 2 Go LPDDR3 4Gb de classe 20 nm, 2133 Mo / s
Août 2012 2 Go LPDDR3 4Gb de classe 30 nm, 1600 Mo / s
2011 1 / 2GB LPDDR2 4Gb de classe 30 nm, 1066 Mo / s
2010 512 Mo Mémoire MDDR 2 Go de classe 40 nm, 400 Mo / s
2009 256 Mo Mémoire MDDR 1 Go de classe 50 nm, 400 Mo / s

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