Samsung célèbre la première livraison de puces Gate-All-Around 3 nm


Samsung a commencé la fabrication de puces en utilisant le processus Gate-All-Around (GAA) de 3 nm le mois dernier et a organisé aujourd’hui une cérémonie pour célébrer la première expédition de ces puces.

La cérémonie a réuni une centaine de personnes, dont des dirigeants et employés d’entreprises, des PDG d’entreprises souhaitant utiliser la nouvelle technologie, ainsi que Lee Chang-yang, ministre du Commerce, de l’Industrie et de l’Énergie, qui s’est engagé à soutenir l’écosystème des semi-conducteurs du pays.

  PDG de Samsung Electronics, ministre Lee Chang-yang et PDG de la division Foundry de Samsung ElectronicsDe gauche à droite : PDG de Samsung Electronics, ministre Lee Chang-yang et PDG de la division Fonderie de Samsung

Samsung Electronics a commencé à rechercher des transistors GAA au début des années 2000 et à expérimenter la conception en 2017. Il est maintenant prêt à produire en masse des puces en utilisant le nouveau procédé.

Par rapport à la conception FinFET, qui est la norme depuis plusieurs années, la conception Gate-All-Around permet aux transistors de transporter plus de courant tout en restant relativement petits.

Selon Samsung, les puces GAA 3 nm utiliseront 45 % moins d’énergie, seront 23 % plus rapides et 16 % plus petites par rapport à une puce FinFET 5 nm similaire. Il s’agit de la première génération du processus GAA. Soit dit en passant, la génération 2 améliorera encore ces mesures.

L'évolution des transistors FET - Samsung utilise la conception MBCFET pour ses puces 3 nmL’évolution des transistors FET – Samsung utilise la conception MBCFET pour ses puces 3 nm

Samsung ne précise pas quel type de puces ont été stockées pour le premier envoi, mais la société prévoit de développer des chipsets pour smartphones en utilisant la conception 3nm GAA.

TSMC commencera également la fabrication en série de puces 3 nm plus tard cette année, bien qu’ils utiliseront toujours la conception FinFET – la société passera à GAAFET avec la transition vers un nœud 2 nm.

Source (en coréen) | Passant par

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